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NTUD3169CZ
TYPICAL CHARACTERISTICS (P ? CHANNEL)
18
16
14
C iss
1000
t d(off)
12
100
t f
10
8
6
C oss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
4
2
0
0
C rss
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
1
V DD = 10 V
I D = 200 mA
V GS = 4.5 V
10
100
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. Capacitance Variation
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 17. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 18. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
7
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NTUD3174NZT5G 功能描述:MOSFET NFET SOT963 20V 280MA TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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